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SPB47N10 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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SPB47N10詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
系列：SIPMOS®
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫歐 @ 33A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 25V
功率_最大：175W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)

SPB47N10L詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
系列：SIPMOS®
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：47A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 33A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 2mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 25V
功率_最大：175W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)

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