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SPB80N06S2-05 全國供應商、價格、PDF資料
SPB80N06S2-05詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 80A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6790pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：P-TO263-3
- 包裝：帶卷 (TR)
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 40V SMPC
- 鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 10UF 20V 20% 1411
- FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
- 邏輯 - 鎖銷 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC 3.3V OCT TRANSP LATCH 20-SOIC
- 鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 22UF 25V 20% 2917
- 磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SIP SENSOR SS HALL EFFECT RATIOMETRC
- 光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 徑向 - 2 引線 PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM 870NM
- 鉭 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 10UF 20V 20% 1411
- 邏輯 - 專用邏輯 Texas Instruments 64-LFBGA IC LINK ADDRSS SCAN-PORT 64-BGA
- 鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 22UF 35V 20% 2917
- 磁性 - 霍爾效應，數字式開關，線性，羅盤 (IC) Honeywell Sensing and Control 3-SIP SENSOR SS HALL EFFECT LINEAR
- 鉭 Kemet CAP TANT 10UF 25V 20% SMD
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-277，3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 45V SMPC
- 光學 - 光電檢測器 - 光電晶體管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 徑向 - 2 引線 PHOTOTRANSISTOR NPN 5MM 870NM
0755-83798683 
