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SPP80N06S2L-05詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：80A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：7530pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：P-TO220-3; 包裝：管件

SPP80N06S2L-05供應商

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SR275C682KAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 6800PF 50V 10% RADIAL
SDSDQ-256-3K
存儲器，PC 卡 SanDisk 非標準 MICRO SD 256MB W/ADAPTER
SQM110N04-03L-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH D-S 40V TO263
SPP80N06S2-09
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
SFR2500001130FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 113 OHM METL FILM .40W 1% T/
SQCB7M300JAJME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 30PF 500V 5% 1111
RT1206BRD0773R2L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 73.2 OHM 1/4W .1% SMD 1206
RT0603DRD072K55L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 2.55K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SR275E104MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
SFR2500001134FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 1.13M OHM MET FILM .40W 1%
SQCB7M300JAJME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 30PF 500V 5% 1111
SQM110N04-04-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH D-S 40V TO263
RT1206BRD07750KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 750K OHM 1/4W .1% SMD 1206
RT0603DRD072K87L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0603（1608 公制） RES 2.87K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
SR275E224MAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL