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SSM3K35MFV(TPL3)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：180mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 50mA，4V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9.5pF @ 3V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：VESM（1.2x1.2）; 包裝：剪切帶 (CT)

SSM3K35MFV(TPL3)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：180mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 50mA，4V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9.5pF @ 3V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：VESM（1.2x1.2）; 包裝：Digi-Reel®

SSM3K35MFV(TPL3)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：180mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 50mA，4V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9.5pF @ 3V; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應商設備封裝：VESM（1.2x1.2）; 包裝：帶卷 (TR)

SSM3K35MFV(TPL3)供應商

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MP1-3N-3N-03
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SMBG5.0AHE3/5B
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-215AA，SMB 鷗翼型 TVS UNIDIR 600W 5V 5% SMB
SK012E334ZAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.33UF 200V RADIAL
SIS452DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH D-S 12V 1212-8 PPAK
SM10-48S03
DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 24-DIP SMD 模塊 CONV 48V IN 3V OUT DC-DC SMT