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STB150N3LH6詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 30V 80A D2PAK; 系列：STripFET™ VI, DeepGATE™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：Digi-Reel®

STB150N3LH6詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 30V 80A D2PAK; 系列：STripFET™ VI, DeepGATE™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

STB150N3LH6詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N CH 30V 80A D2PAK; 系列：STripFET™ VI, DeepGATE™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 40A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：剪切帶 (CT)

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