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STB34NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 14.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2722pF @ 100V; 功率_最大：210W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB34NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 14.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2722pF @ 100V; 功率_最大：210W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB34NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫歐 @ 14.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2722pF @ 100V; 功率_最大：210W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB34NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：FDmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 14.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2785pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB34NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：FDmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 14.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2785pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB34NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK; 系列：FDmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：29A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 14.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2785pF @ 50V; 功率_最大：190W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

SMCJ110A-13
TVS - 二極管 Diodes/Zetex DO-214AB，SMC TVS UNI-DIR 110V 1500W SMC
SIZ910DT-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
STB30NF10T4
FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
SM2615FT12R7
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 12.7 OHM 1W 1% WW 2615
SST25VF080B-80-4I-QAE
存儲器 Microchip Technology 8-WDFN 裸露焊盤 IC FLASH SER 8MB 80MHZ SPI 8WSON
STF7N95K3
FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP
ST72F561AR4TAE
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 64-LQFP IC MCU 8BIT 16K FLASH 64-LQFP
STM6822SWY6F
PMIC - 監控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR PB 2.93V SOT23-5
SMCJ110A-13
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS UNI-DIR 110V 1500W SMC
STF817A
晶體管(BJT) - 單路 STMicroelectronics TO-243AA IC TRANS PWR PNP BIPO 30V SOT89
SST25VF080B-80-4I-QAE-T
存儲器 Microchip Technology 8-WDFN 裸露焊盤 IC FLASH SER 8MB 50MHZ SPI 8WSON
SM2615FT137R
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引線 RES 137 OHM 1W 1% WW 2615
ST72F561J9TAE
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 44-LQFP IC MCU 8BIT 60K FLASH 44-TQFP
STM6822YWY6F
PMIC - 監控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR PB/OPEN DR SOT23-5
SIZ918DT-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 6-PowerPair? MOSFET N-CH 30V 16A 28A 6X5