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STL13NM60N 全國供應商、價格、PDF資料

STL13NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：5-PowerVDFN; 供應商設備封裝：5-PowerFlat? HV（8x8）; 包裝：剪切帶 (CT)

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STL13NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT; 系列：Mdmesh™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：385 毫歐 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 50V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：5-PowerVDFN; 供應商設備封裝：5-PowerFlat? HV（8x8）; 包裝：帶卷 (TR)

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