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SUD50N04-05L-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：115A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.4 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5600pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N04-09H-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V
- 功率_最大：83.3W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N04-16P-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1655pF @ 20V
- 功率_最大：3.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N04-37P-T4-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 20V
- 功率_最大：10.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N04-8M8P-4GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V
- 功率_最大：48.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50N04-8M8P-4GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫歐 @ 20A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V
- 功率_最大：48.1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：Digi-Reel®
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 549 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 9POS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 280K OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 斷路器 Schurter Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CIR BRKR THRM ROCKER 240VAC
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 1.8V 80MA SOT23-5
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 549 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 邏輯 - 緩沖器，驅動器，接收器，收發器 Toshiba 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 寬） IC BUFFER TRIPLE NON-INV US8
- 矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 11POS
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Microchip Technology 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 2.7V 80MA SC-70-5
- 斷路器 Schurter Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CIR BRKR THRM 15A ROCKER 240VAC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 280 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 56.2K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Toshiba 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 寬） IC MUX/DEMUX 1X2 US8
- 矩形- 接頭，公引腳 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM GOLD 5POS SMD
0755-83200050 
0755-23914006 
