SUD50P04-08-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：159nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5380pF @ 20V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：Digi-Reel®
SUD50P04-08-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：159nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5380pF @ 20V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50P04-08-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫歐 @ 22A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：159nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5380pF @ 20V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：剪切帶 (CT)
SUD50P04-09L-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：50A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫歐 @ 24A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50P04-13L-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：60A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3120pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：帶卷 (TR)
SUD50P04-13L-GE3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55.7A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 30A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3120pF @ 25V
- 功率_最大：78W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：TO-252，（D-Pak）
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 連接器，互連器件 Switchcraft Inc. 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN RECEPTACLE 3POS MALE
- 鉭 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 10V 20% 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.47K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 17.8K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 評估演示板和套件 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） EVAL MODULE FOR TPS2024-290
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
- 連接器，互連器件 Switchcraft Inc. 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CONN RECEPTACLE 3POS MALE
- 鉭 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 16V 20% 0603
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 221K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - 電源分配開關 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC 300MA POWER DIST SW 8-SOIC
- 鉭 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 10UF 3V 10% 0603
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 4.096 MHZ 2.5V SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 31.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 3.32K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 評估演示板和套件 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TPS2030EVM-290
0755-82575207 
0755-23919407 
