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» 型號"TA-133.330MBE-T"的供應信息
TA-133.330MBE-T 全國供應商、價格、PDF資料
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TA-133.330MBE-T詳細規格
類別:振蕩器
描述:OSC MEMS 133.330 MHZ 3.3V SMD
系列:TA
制造商:TXC CORPORATION
類型:MEMS(硅)
頻率范圍:
頻率:133.33MHz
頻率_中心:
功能:三態(輸出啟用)
調諧電壓333VDC444:
第2諧波qqq標準值333dBc444:
輸出:CMOS
最大Icc:
電源電壓:3.3V
Kvco333MHz/V444:
頻率穩定性:±50ppm
功率333dBm444:
工作溫度:-40°C ~ 85°C
電流_電源(最大):30mA
相位噪聲標準值333dBc/Hz444:
額定值:-
安裝類型:表面貼裝
尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm)
高度:0.035"(0.90mm)
封裝/外殼:4-SMD,無引線(DFN,LCC)
包裝:帶卷 (TR)
TA-133.330MBE-T供應商
查看更多TA-133.330MBE-T的供應商
NOSC107M004R0070
氧化鈮 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 100UF 4V 2312
TMS320F2801GGMS
嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 100-LFBGA IC DSP W/FLASH 16KX16 100-BGA
TLV70018DCKT
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 IC REG LDO 1.8V .2A SC70-5
T8003NLT
共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 垂直式,8 鷗翼形 CHOKE COM MODE 33UH 4LINE SMD
TA-13.513MDD-T
振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC MEMS 13.513 MHZ 1.8V SMD
SI7812DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
NOSC227M001R0150
氧化鈮 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 220UF 1.8V 2312
TMS320F2801PZA
嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 100-LQFP IC DSP W/FLASH 16KX16 100-LQFP
TLV70018DDCR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-23-5 細型,TSOT-23-5 IC REG LDO 1.8V .2A SOT23-5
SI7842DP-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
NOSC227M002R0080
氧化鈮 AVX Corporation 2312(6032 公制) CAP NIOB OXIDE 220UF 2.5V 2312
TMS320F280200DAS
嵌入式 - 微控制器, Texas Instruments 38-TSSOP(0.240",6.10mm 寬) IC MCU 32BIT 16KB FLASH 38TSSOP
TLV70018DDCR
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments SOT-23-5 細型,TSOT-23-5 IC REG LDO 1.8V .2A SOT23-5
TA-15.8682MDD-T
振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC MEMS 15.8682 MHZ 1.8V SMD
T810-600G-TR
三端雙向可控硅開關 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB TRIAC 8A 600V 10MA LL D2PAK
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