TPC8031-H(TE12L,Q)詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.3 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：帶卷 (TR)
TPC8031-H(TE12LQM)詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13.3 毫歐 @ 5.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2150pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 73.2K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.05K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 配件 Vicor Corporation 8-DIP 模塊，1/4 磚 URAM OUTPUT ATTENUATION MODULE
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 10UF 25V 20% 2910
- 熱縮管 TE Connectivity 8-DIP 模塊，1/4 磚 MOLDED SHRINK HOOP
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 750 OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.10K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 鉭 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 10UF 25V 20% 2910
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 2200UF 6.3V 20% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 78.7 OHM 1/3W 0.1% 1210
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL
075582796732 
