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TPC8134,LQ(S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫歐 @ 2.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：890pF @ 10V; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

TNPW25122K20BETG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW12107K50BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.50K OHM 1/3W 0.1% 1210
URS1A221MDD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL
TPC8109(TE12L,Q,M)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH SNGL -30V -10A SOP-8
URS1A470MDD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 47UF 10V 20% RADIAL
TPC8117(TE12L,Q)
FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
TNPW25122K21BETG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW12107K87BEEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.87K OHM 1/3W 0.1% 1210
USPTL4
其它 B&B Electronics - CONVERTER USB TO RS-422/485
URS1A682MHD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 6800UF 10V 20% RADIAL
TPC8207(TE12L,Q)
FET - 陣列 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8
TPCA8052-H(TE12LQM
FET - 單 Toshiba 8-PowerVDFN MOSFET N-CH 40V 20A 8SOP
USR 2-0808 120 OHM D 0.01% 1PPM
通孔電阻器 Riedon 徑向 RES 120 OHM .6W .01% FOIL RADIAL
TNPW25122K26BEEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.26K OHM 1/2W 0.1% 2512
URS1E100MDD
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 10UF 25V 20% RADIAL

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