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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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TT8K2TR 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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TT8K2TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSST8
包裝：Digi-Reel®

TT8K2TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSST8
包裝：帶卷 (TR)

TT8K2TR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.5A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 2.5A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.2nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V
功率_最大：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-TSST
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TSST8
包裝：剪切帶 (CT)

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