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UNRF2A700A 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
按地區：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

UNRF2A700A詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 160 HFE ML3-N2
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：80mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：22k
電阻器_發射極333R2444（歐）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：150MHz
功率_最大：100mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-101，SOT-883
供應商設備封裝：ML3-N2
包裝：剪切帶 (CT)

UNRF2A700A詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 160 HFE ML3-N2
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：80mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：22k
電阻器_發射極333R2444（歐）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：150MHz
功率_最大：100mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-101，SOT-883
供應商設備封裝：ML3-N2
包裝：帶卷 (TR)

UNRF2A700A詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述：TRANS NPN W/RES 160 HFE ML3-N2
系列：-
制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型：NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444（最大）：80mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：22k
電阻器_發射極333R2444（歐）：-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：160 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：150MHz
功率_最大：100mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-101，SOT-883
供應商設備封裝：ML3-N2
包裝：Digi-Reel®

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