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US6J2TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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US6J2TR詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：390 毫歐 @ 1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：TUMT6
包裝：剪切帶 (CT)

US6J2TR詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：390 毫歐 @ 1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：TUMT6
包裝：帶卷 (TR)

US6J2TR詳細規格

類別：FET - 陣列
描述：MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
系列：-
制造商：Rohm Semiconductor
FET型：2 個 P 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：1A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：390 毫歐 @ 1A，4.5V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.1nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：150pF @ 10V
功率_最大：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-SMD，扁平引線
供應商設備封裝：TUMT6
包裝：Digi-Reel®

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