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UVZ2E331MRH 全國供應商、價格、PDF資料
UVZ2E331MRH詳細規格
- 類別：電容器
- 描述：CAP ALUM 330UF 250V 20% RADIAL
- 系列：VZ
- 制造商：Nichicon
- 電容：330µF
- 額定電壓：250V
- 容差：±20%
- 壽命0a0溫度：105°C 時為 1000 小時
- 工作溫度：-40°C ~ 105°C
- 特點：通用
- 紋波電流：730mA
- ESR（等效串聯電阻）：-
- 阻抗：-
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：徑向，Can
- 尺寸/尺寸：0.866" 直徑（22.00mm）
- 高度_座高（最大）：1.969"（50.00mm）
- 引線間隔：0.394"（10.00mm）
- 表面貼裝占地面積：-
- 包裝：散裝
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 330K OHM .40W 0.1% 2010
- 電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 49.9K OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 單 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 陣列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 332K OHM .40W 0.1% 2010
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 24.0 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 49.9 OHM 1/16W 0.1% 0402
- FET - 陣列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 電路板襯墊，支座 Bivar Inc SPACER WASHAWAY
- FET - 陣列 Renesas Electronics America 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 33.0K OHM .40W 0.1% 2010
