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ZVN2110A詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：320mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標準主體; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

ZVN2110ASTOA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：320mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

ZVN2110ASTOB詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：320mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

ZVN2110ASTZ詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CHAN 100V TO92-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：320mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：700mW; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應商設備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

ZVN2110GTA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：500mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

ZVN2110GTA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：500mA; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 歐姆 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應商設備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

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陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 220PF 50V 5% NP0 1210
YC358TJK-07100KL
網絡、陣列 Yageo 2512（6432 公制），凸起 RES ARRAY 100K OHM 8 RES 2512
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快動，限位，拉桿 Omron Electronics Inc-IA Div SWITCH SPDT 15A HINGE LEVER
Y92E-B18MT
配件 Omron Electronics Inc-IA Div BLOCK MNT THREAD FOR BARREL PROX
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FET - 單 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3 標準主體 MOSFET N-CHAN 200V TO92-3

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