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ZXMN10A08DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMN10A08DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ZXMN10A08DN8TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN10A08DN8TC詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMN10A08E6TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6; 包裝：Digi-Reel®

ZXMN10A08E6TA詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 3.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 50V; 功率_最大：1.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-23-6; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6; 包裝：帶卷 (TR)

TNPW121082K0BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 82.0K OHM 1/3W 0.1% 1210
TNPW20103K65BETF
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 3.65K OHM .40W 0.1% 2010
ZX-SF11
其它 Omron Electronics Inc-IA Div COMMUNICATION INTERFACE RS232
ZXMN10A07FTA
FET - 單 Diodes Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
VJ2220A472JBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 2220（5650 公制） CAP CER 4700PF 1KV 5% NP0 2220
VJ1812Y223KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 0.022UF 500V X7R 1812
VI-25Z-EV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 60W
VI-J5F-IX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 75W
TNPW20103K83BEEY
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 3.83K OHM .40W 0.1% 2010
VJ2220A472KBCAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 2220（5650 公制） CAP CER 4700PF 200V 10% NP0 2220
VJ1812Y223KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1812（4532 公制） CAP CER 0.022UF 500V X7R 1812
ZXT10N20DE6TC
晶體管(BJT) - 單路 Diodes Inc SOT-23-6 TRANSISTOR NPN 20V SOT23-6
VI-25Z-EW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 40W
VI-J5F-IY-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W
TNPW121082R5BEEN
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 82.5 OHM 1/3W 0.1% 1210