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ZXMN3A01ZTA 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
按地區：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

ZXMN3A01ZTA詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
系列：-
制造商：Diodes Inc
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：186pF @ 25V
功率_最大：970mW
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應商設備封裝：*
包裝：*

ZXMN3A01ZTA詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
系列：-
制造商：Diodes Inc
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：186pF @ 25V
功率_最大：970mW
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應商設備封裝：*
包裝：*

ZXMN3A01ZTA詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT89
系列：-
制造商：Diodes Inc
FET型：2 個 N 溝道（雙）
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.3A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫歐 @ 2.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.6nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：186pF @ 25V
功率_最大：970mW
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應商設備封裝：*
包裝：*

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