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ZXMNS3BM832TA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET/SCHOTTKY30V/40V 8-MLP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：314pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-MLP; 供應商設備封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）; 包裝：剪切帶 (CT)

ZXMNS3BM832TA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET/SCHOTTKY30V/40V 8-MLP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：314pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-MLP; 供應商設備封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMNS3BM832TA詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET/SCHOTTKY30V/40V 8-MLP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫歐 @ 1.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nc @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：314pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-MLP; 供應商設備封裝：8-MLP，MicroFET（3x2）; 包裝：Digi-Reel®

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