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ZXTD2M832 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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ZXTD2M832TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：3.5A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 350mA，3.5A
電流_集電極截止（最大）：25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：1.7W
頻率_轉換：180MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-MLP
供應商設備封裝：8-MLP（3x2）
包裝：帶卷 (TR)

ZXTD2M832TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：3.5A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 350mA，3.5A
電流_集電極截止（最大）：25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：1.7W
頻率_轉換：180MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-MLP
供應商設備封裝：8-MLP（3x2）
包裝：Digi-Reel®

ZXTD2M832TA詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANSISTOR DUAL PNP 20V 8MLP
系列：-
制造商：Diodes Inc
晶體管類型：2 PNP（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：3.5A
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：20V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 350mA，3.5A
電流_集電極截止（最大）：25nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：150 @ 2A，2V
功率_最大：1.7W
頻率_轉換：180MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：8-MLP
供應商設備封裝：8-MLP（3x2）
包裝：剪切帶 (CT)

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