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BSO303P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET P-CHAN DUAL 30V DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：72.5nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1761pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO303P H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2678pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSO303P H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2678pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：Digi-Reel®

BSO303P H詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 7A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：2 個(gè) P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.2A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2678pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-DSO-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSO303SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

BSO303SP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：21 毫歐 @ 8.9A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：69nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1754pF @ 25V; 功率_最大：2.35W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

B39901B3835U410
SAW 濾波器 EPCOS Inc LOW LOSS 899.00MHZ
C3216C0G1H103J/0.60
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 50V 5% NP0 1206
B43505A9397M82
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 400V
BR24C02-WDW6TP
存儲器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8TSSOP
B43505A9477M
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 400V
BFC242015102
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 5100PF 630VDC RADIAL
BD4836G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET N-CH OD 3.6V 5SSOP
BGA2776,699
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP MMIC WIDEBAND 6TSSOP
B39921B3588U410W9
SAW 濾波器 EPCOS Inc 6-SMD，無引線 FILTER SAW 915MHZ REMOTE SMD
BR24C02-WMN6TP
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8SOIC
BFC242017503
薄膜 Vishay BC Components 徑向 CAP FILM 0.075UF 630VDC RADIAL
B43505A9477M62
電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 400V
BGA2800,115
RF 放大器 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC AMP MMIC WIDEBAND 6TSSOP
BD4837G-TR
PMIC - 監(jiān)控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP（0.063"，1.60mm 寬），5 引線 IC RESET N-CH OD 3.7V 5SSOP
C3216C0G1H103J/1.15
陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 10000PF 50V 5% NP0 1206