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BSS314PE H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 6.3µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：294pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

BSS314PE H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 6.3µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：294pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS314PE H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 6.3µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：294pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS315P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：Digi-Reel®

BSS315P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：帶卷 (TR)

BSS315P H6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 11µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.3nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：282pF @ 15V; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT23-3; 包裝：剪切帶 (CT)

D38999/26FD97SC-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 12POS SKT
D38999/24JF32HN-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 32POS PIN
D38999/20KJ29HN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 29POS WALL MNT W/PINS
D38999/20WH53PE
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 53POS WALL MNT W/PINS
BSS314PE H6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
D38999/24WB35SD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 13POS SKT
D38999/26FD97SD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 12POS STRGHT W/SKT
DTS26W23-21BN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 21POS SKT
D38999/20KJ43PN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 43POS WALL MNT W/PINS
D38999/26FD97SN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 12POS STRGHT W/SKT
D38999/24WB35SE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 13POS JAM NUT W/SKT
DTS26W23-21HN
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 21POS STRGHT W/PINS
D38999/20KJ4SN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 56POS WALL MNT W/SCKT
D38999/20WH53PN
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 53POS WALL MNT W/PINS
BSS64,215
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANS NPN 80V 100MA SOT23

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