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DTA114EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 10/10K SOT-723-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：Digi-Reel®

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DTA114EM3T5G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 10/10K SOT-723-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：260mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-723; 包裝：帶卷 (TR)

DTA114EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 50MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：Digi-Reel®

DTA114EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 50MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTA114EMT2L詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS PNP 50V 50MA VMT3; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：PNP - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：10k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：10k; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：30 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 500µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-723; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：VMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTA114EKAT146
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRAN DIGITL PNP 50V 50MA SOT-346
ERJ-6ENF3900V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 390 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
ERJ-6RQJ1R2V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 1.2 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
ESC05DREH-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 10POS .100 EXTEND
ERJ-S14F2872U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 28.7KOHM 1% 1210
ERJ-8ENF23R7V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 23.7 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-6RQJ1R5V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 1.5 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
FSA4157AL6X
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Fairchild Semiconductor 6-UFDFN IC SWITCH SPDT 6MICROPAK
ERJ-6ENF3901V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 3.90K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
FDD6N25TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
ERJ-8ENF2400V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） RES 240 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-S14F3000U
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 1210（3225 公制） RES ANTI-SULFUR 300 OHM 1% 1210
FSA4157AP6X
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Fairchild Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC SWITCH SPDT SC70-6
ERJ-6RQJ3R3V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 3.3 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
ERJ-6ENF3921V
芯片電阻 - 表面安裝 Panasonic Electronic Components 0805（2012 公制） RES 3.92K OHM 1/8W 1% 0805 SMD

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DTA114EM 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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FDD6N25TM

ERJ-8ENF2400V

ERJ-S14F3000U

FSA4157AP6X

ERJ-6RQJ3R3V

ERJ-6ENF3921V