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DTC115EET1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：100k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC115EET1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC-75; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：100k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC115EET1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN BIAS RES 50V SC75-3; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：100k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：200mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-75，SOT-416; 包裝：帶卷 (TR)

DTC115EETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 20MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：100k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：剪切帶 (CT)

DTC115EETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 20MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：100k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：帶卷 (TR)

DTC115EETL詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式; 描述：TRANS NPN 50V 20MA SOT-416; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; 晶體管類型：NPN - 預(yù)偏壓; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：100k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：100k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：82 @ 5mA，5V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：300mV @ 250µA，5mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 功率_最大：150mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SC-75，SOT-416; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：EMT3; 包裝：Digi-Reel®

GRM319F51C105ZA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V Y5V 1206
IM26GR
信號，高達(dá) 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 12V
DS99R105VSX/NOPB
接口 - 串行器，解串行器 Texas Instruments 48-TQFP IC SERIALIZER 40MHZ 24BIT 48TQFP
IDT72T40108L6-7BB
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 6-7NS 208-BGA
DS1010S-50+
時鐘/計(jì)時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
LLA319R71C104MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 16V 20% X7R 1206
GRM319F51C105ZA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 1UF 16V Y5V 1206
IM42CGR
信號，高達(dá) 2 A TE Connectivity RELAY TELECOM DPDT 2A 4.5V
IDT72T40118L4BBG
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 4NS 208-BGA
IDTQS3VH253PAG8
邏輯 - 信號開關(guān)，多路復(fù)用器，解碼器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC MUX/DEMUX SW DUAL 4:1 16TSSOP
DS1010S-500
時鐘/計(jì)時 - 延遲線 Maxim Integrated 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DELAY LINE 10TAP 16-SOIC
LLA319R71C684MA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.68UF 16V 20% X7R 1206
GRM319F51C474ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 16V Y5V 1206
IMB10AT110
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 Rohm Semiconductor SC-74，SOT-457 TRANS DUAL PNP 50V 100MA SOT-457
IDT72T4098L6-7BB
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BGA IC FIFO DDR/SDR 6-7NS 208-BGA

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DTC115EE 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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DTC115EETL詳細(xì)規(guī)格

DTC115EE供應(yīng)商

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IM26GR

DS99R105VSX/NOPB

IDT72T40108L6-7BB

DS1010S-50+

LLA319R71C104MA01L

GRM319F51C105ZA01J

IM42CGR

IDT72T40118L4BBG

IDTQS3VH253PAG8

DS1010S-500

LLA319R71C684MA01L

GRM319F51C474ZA01L

IMB10AT110

IDT72T4098L6-7BB