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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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FQB9N08 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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FQB9N08LTM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
系列：QFET™
制造商：Fairchild Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 4.65A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：280pF @ 25V
功率_最大：3.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：帶卷 (TR)

FQB9N08TM詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
系列：QFET™
制造商：Fairchild Semiconductor
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：80V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 4.65A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
功率_最大：3.75W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK
包裝：帶卷 (TR)

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