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IXTA3N120詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-263; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1200V（1.2kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263; 包裝：管件

IXTA3N120TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1200V（1.2kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263; 包裝：剪切帶 (CT)

IXTA3N120TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1200V（1.2kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263; 包裝：帶卷 (TR)

IXTA3N120TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1200V（1.2kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 歐姆 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263; 包裝：Digi-Reel®

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FET - 單 IXYS TO-263-8，D²Pak（7 引線+接片），TO-263CA MOSFET N-CH 40V 300A TO-263
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 22POS STRAIGHT W/SCKT
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