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NSBA123JDXV6T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：剪切帶 (CT)

NSBA123JDXV6T1G詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式; 描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; 電阻器_基極333R1444（歐）：2.2k; 電阻器_發(fā)射極333R2444（歐）：47k; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：80 @ 5mA，10V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA; 電流_集電極截止（最大）：500nA; 頻率_轉(zhuǎn)換：-; 功率_最大：500mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666; 供應商設備封裝：SOT-563; 包裝：帶卷 (TR)

NSBA123JDXV6T1G供應商

NSBA123JDXV6T1G 深圳市金嘉銳電子有限公司 0755-22929859
NSBA123JDXV6T1G 深圳市芯澤盛世科技有限公司 0755-89697985
NSBA123JDXV6T1G 深圳市諾洋電子科技有限公司 0755-83223003
NSBA123JDXV6T1G 深圳市正信鑫科技有限公司 0755-22655674
NSBA123JDXV6T1G 深圳市世品佳電子有限公司 0755-/8321846
NSBA123JDXV6T1G 上海熠富電子科技有限公司 15026993318 /
NSBA123JDXV6T1G 上海熠富電子科技有限公司 15821228847 /
NSBA123JDXV6T1G 北京元坤國際科技有限公司 010-62104931、
NSBA123JDXV6T1G 北京顯周科技有限公司 13910052844（微
NSBA123JDXV6T1G 北京首天偉業(yè)科技有限公司 010-62104931、
NSBA123JDXV6T1G GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD 13910052844（微
NSBA123JDXV6T1G 北京顯周科技有限公司 13910052844（微

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配件 Cooper Bussmann TO-18 小型 COVER PROTECTIVE 3POS OPM MODULE
NSBA114TDXV6T1
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NSBA123JDXV6T5G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

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NSBA123JDXV6T1G 全國供應商、價格、PDF資料

NSBA123JDXV6T1G詳細規(guī)格

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NSBA123JDXV6T5G