

2N6427詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:14000 @ 500mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
2N6427詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS SS DARL NPN 500MA 40V TO92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
2N6427_D26Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:14000 @ 500mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
2N6427_D27Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:14000 @ 500mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶卷 (TR)
2N6427_D75Z詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN 40V TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):1.2A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:14000 @ 500mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引線
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:帶盒(TB)
2N6427G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS SS DARL NPN 500MA 40V TO92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 達林頓
- 電流_集電極333Ic444(最大):500mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1.5V @ 500µA,500mA
- 電流_集電極截止(最大):1µA
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:20000 @ 100mA,5V
- 功率_最大:625mW
- 頻率_轉換:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-226-3、TO-92-3 標準主體
- 供應商設備封裝:TO-92-3
- 包裝:散裝
- 芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0603(1608 公制) RES 187K OHM 1/10W 1% 0603
- 帶 3M (TC) 0603(1608 公制) TAPE THERMAL COND 4"X5YD
- 晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRANS SS DARL NPN 500MA 40V TO92
- 帶 3M (TC) TO-226-3、TO-92-3 標準主體 GRIP MATERIAL 3"X6 YDS BLK
- 連接器,互連器件 Conxall/Switchcraft TO-226-3、TO-92-3 標準主體 CONN PLUG 31POS CABLE SKT
- 微調器 Bourns Inc. TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRIMMER 2M OHM 0.25W SMD
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TERM BARRIER 7CIRC SGL ROW .4375
- 芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0603(1608 公制) RES 191K OHM 1/10W 1% 0603
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 0603(1608 公制) TERM BARRIER 23CIRC SGL ROW .325
- 端子 - 環形 TE Connectivity TO-226-3、TO-92-3 標準主體 CONN RING TONGUE 12-10AWG #10
- 帶 3M (TC) TO-226-3、TO-92-3 標準主體 GRIP MATERIAL 3"X6 YDS BLK
- 微調器 Bourns Inc. TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TRIMMER 25K OHM 0.25W SMD
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries TO-226-3、TO-92-3 標準主體 TERM BARRIER 22CIRC 1 ROW .4375
- 芯片電阻 - 表面安裝 TE Connectivity 0805(2012 公制) RES 187K OHM 1/8W 1% 0805
- 接線座 - 隔板塊 Curtis Industries 0805(2012 公制) TERM BARRIER 18CIRC SGL ROW .325