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2SC2812N6 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

2SC2812N6-CPA-TB-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：200 @ 1mA，6V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：3-SMD，鷗翼型; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-CP; 包裝：帶卷 (TR)

2SC2812N6-TB-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS NPN BIPO 150MA 50V CP; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：150mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：135 @ 1mA，6V; 功率_最大：200mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：3-CP; 包裝：帶卷 (TR)

3386B-1-502LF
微調(diào)器 Bourns Inc. 1411（3528 公制） TRIMMER 5K OHM 0.5W TH
3313J-1-104E
微調(diào)器 Bourns Inc. 1411（3528 公制） TRIMMER 100K OHM 0.125W SMD
2SK2232(F,T)
FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 60V 25A TO220NIS
30302500131
保險(xiǎn)絲 Littelfuse Inc 徑向，罐狀，垂直 FUSE 250MA 125V RADIAL FAST
4303.0061
電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊 Schurter Inc 徑向，罐狀，垂直 SOCKET PWR ENTRY 2POLE SCREW 8MM
2SC2712S-Y,LF
晶體管(BJT) - 單路 Toshiba TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI
293D225X9035C2TE3
鉭 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 2.2UF 35V 10% 2312
3386B-1-503
微調(diào)器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 50K OHM 0.5W TH
3313J-1-105E
微調(diào)器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 1M OHM 0.125W SMD
4303.0062
電源輸入 - 輸入端，輸出端，模塊 Schurter Inc TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SOCKET PWR ENTRY 2P 1.5MM SNAPIN
2SK2299N
FET - 單 Rohm Semiconductor TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN
293D225X9050C2TE3
鉭 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 2.2UF 50V 10% 2312
3030303
RFI 和 EMI - 屏蔽和吸收材料 Wurth Electronics Inc 2312（6032 公制） GASKET FABRIC/FOAM 3X3MM D-SHAPE
3386C-1-101
微調(diào)器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 100 OHM 0.5W TH
3313J-1-201G
微調(diào)器 Bourns Inc. 2312（6032 公制） TRIMMER 200 OHM 0.125W SMD

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