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2SK3265(F,T)詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 700V 10A TO220NIS; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：700V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：10A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1 歐姆 @ 5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3 整包; 供應商設備封裝：TO-220NIS; 包裝：散裝

2SK326800L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15A UG-2; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：U-G2; 供應商設備封裝：U-DL; 包裝：帶卷 (TR)

2SK326800L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15A UG-2; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：U-G2; 供應商設備封裝：U-DL; 包裝：Digi-Reel®

2SK326800L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 15A UG-2; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 12A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：960pF @ 10V; 功率_最大：20W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：U-G2; 供應商設備封裝：U-DL; 包裝：剪切帶 (CT)

2SK327700L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 歐姆 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 20V; 功率_最大：10W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：U-G1; 供應商設備封裝：U-G1; 包裝：帶卷 (TR)

2SK327700L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1; 系列：-; 制造商：Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.7 歐姆 @ 1.25A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 20V; 功率_最大：10W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：U-G1; 供應商設備封裝：U-G1; 包裝：剪切帶 (CT)

37003150430
保險絲 Littelfuse Inc 徑向，罐狀，垂直 FUSE 315MA 250VAC RADIAL FAST
2SK3127(TE24L)
FET - 單 Toshiba TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
3429-5202
矩形- 接頭，公引腳 3M TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 CONN 26 HDR, RT, W/LATCH
184A009-192L011
D-Sub Norcomp Inc. TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 CONN 9POS MALE IDC FLAT RIBBON
1808AA102JAT9A
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 1000PF 1KV 5% NP0 1808
37005000000
保險絲 Littelfuse Inc 徑向，罐狀，垂直 FUSE 500MA 250VAC RADIAL FAST
2SK326800L
FET - 單 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products U-G2 MOSFET N-CH 100V 15A UG-2
3429-5302
矩形- 接頭，公引腳 3M U-G2 CONN HEADER 26POS R/A LONG LATCH
1808AA102JATME
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 1000PF 1KV 5% NP0 1808
37006300410
保險絲 Littelfuse Inc 徑向，罐狀，垂直 FUSE FAST 250VAC 630MA RADIAL
3429-600T02TC
矩形- 接頭，公引腳 3M 徑向，罐狀，垂直 CONN HEADER 26POS STR NO LATCH
0757575401
矩形- 接頭，公引腳 Molex Inc 徑向，罐狀，垂直 CONN HEADER 2X10 VERT BRKWAY TIN
1808AA102JATME
陶瓷 AVX Corporation 1808（4520 公制） CAP CER 1000PF 1KV 5% NP0 1808
2SK3313(Q)
FET - 單 Toshiba TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 500V 12A TO220NIS
3700BL15B050E
平衡-不平衡變壓器 Johanson Technology Inc 0805（2012 公制） BALUN CERAMIC CHIP WIMAX 3.7GHZ

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