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當前位置：網站首頁 » 庫存索引484 » 型號"BD242B"的供應信息

BD242B 全國供應商、價格、PDF資料

BD242B詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 3A BIPO TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：3A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A; 電流_集電極截止（最大）：300µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：25 @ 1A，4V; 功率_最大：40W; 頻率_轉換：3MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

BD242B詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP 80V 3A TO-220; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：3A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A; 電流_集電極截止（最大）：300µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：25 @ 1A，4V; 功率_最大：40W; 頻率_轉換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220; 包裝：管件

BD242B詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR PNP COMPL 80V TO-220; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：3A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A; 電流_集電極截止（最大）：300µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：25 @ 1A，4V; 功率_最大：2W; 頻率_轉換：-; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

BD242BG詳細規格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 80V 3A BIPO TO220AB; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：3A; 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：1.2V @ 600mA，3A; 電流_集電極截止（最大）：300µA; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：25 @ 1A，4V; 功率_最大：40W; 頻率_轉換：3MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

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BD242B
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-220-3 TRANS PNP 80V 3A BIPO TO220AB
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電容器 EPCOS Inc 5.6UF 350V 10X16 SINGLE END
ATMEGA88V-15AT
嵌入式 - 微控制器， Atmel 32-TQFP MCU AVR 8K FLASH 15MHZ 32-TQFP

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