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BSC0901NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.9 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：Digi-Reel®

BSC0901NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.9 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC0901NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.9 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSC0901NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 15V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：帶卷 (TR)

BSC0901NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 15V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：剪切帶 (CT)

BSC0901NSI詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：100A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 毫歐 @ 30A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 15V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2600pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TDSON-8; 包裝：Digi-Reel®

BTA312-800B,127
三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-220-3 TRIAC 800V 12A TO220AB
CA3100ER10SL-4P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS WALL MNT W/PINS
CA3100E22-12SF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/SKTS
C0805C335Z8VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.3UF 10V Y5V 0805
BSC0901NS
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
BTA312B-600B,118
三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB TRIAC 600V 12A D2PAK
CA3106R28-15P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 35POS INLINE W/PINS
CA3100ER10SL-A4SA95
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT W/PINS
C0805C335Z9VACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.3UF 6.3V Y5V 0805
BTA312B-600CT,118
三端雙向可控硅開關(guān) NXP Semiconductors TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB TRIAC 3-QUADRANT 600V 12A D2PAK
CA3106R28-15PBF80
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 35POS INLINE W/PINS
CA3100ER14S-6S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS WALL MNT W/SKTS
C0805C339C5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3.3PF 50V NP0 0805
CA3100E22-14PBF80-05
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS WALL MNT W/PINS
BSC0902NSI
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON