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BSP31,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP31,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：帶卷 (TR)

BSP31,115詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANS PNP 60V 1A SOT223; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：PNP; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 100mA，5V; 功率_最大：1.3W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-73; 包裝：Digi-Reel®

BSP315P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：帶卷 (TR)

BSP315P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：剪切帶 (CT)

BSP315P L6327詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.17A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：800 毫歐 @ 1.17A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 160µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：160pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-SOT223-4; 包裝：Digi-Reel®

C440C153J5G5CA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.015UF 50V 5% AXIAL
78F05RAT
DIP Grayhill Inc 軸向 SWITCH DIP RAISED SLIDE 5POS TH
BSP300 E6327
FET - 單 Infineon Technologies TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
80644024
電機 - AC，DC Crouzet USA TO-261-4，TO-261AA ASYNC MOTOR 220V RAT
C1206C200J5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 20PF 50V 5% NP0 1206
C1005Y5V1E104Z
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 25V Y5V 0402
7B-20.000MAAE-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 20.000 MHZ 12PF SMD
C440C154K1R5CA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.15UF 100V 10% AXIAL
78F05SRAT
DIP Grayhill Inc 軸向 SWITCH DIP RAISED SLIDE 5POS TH
C1206C200K5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 20PF 50V 10% NP0 1206
806443N001
熱收縮套，帽蓋 TE Connectivity 1206（3216 公制） BOOT MOLDED STR SIZE 85 W/LIP
C1005Y5V1E224Z
陶瓷 TDK Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 0.22UF 25V Y5V 0402
7B-20.000MAAJ-T
晶體 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 20.000 MHZ 18PF SMD
C440C224M1U5CA7200
陶瓷 Kemet 軸向 CAP CER 0.22UF 100V 20% AXIAL
78F120J
固定式 Bourns Inc. 軸向 CHOKE CONFORMAL COATED 12UH

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