CSD16408Q5 全國供應商、價格、PDF資料
CSD16408Q5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:113A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:Digi-Reel®
CSD16408Q5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:113A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:剪切帶 (CT)
CSD16408Q5詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:113A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16408Q5C詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:113A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:帶卷 (TR)
CSD16408Q5C詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:113A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:Digi-Reel®
CSD16408Q5C詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
- 系列:NexFET™
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:25V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:113A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 12.5V
- 功率_最大:3.1W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤
- 供應商設備封裝:8-SON-EP(5x6)
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC CLK MULT PLL HI DRV 16-SOIC
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- FET - 單 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div PNP CONTROLLER
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS BOX MNT W/PINS
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .02 OHM 2W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC CLK MULT PLL HI DRV 16-SOIC
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div F210 DIGITAL CAMERA
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS BOX MNT W/SCKT
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .04OHM 2W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盤 MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
- 時鐘/計時 - 時鐘發生器,PLL,頻率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC CLK MULT PLL HI DRV 16-TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .075 OHM 2W 1% 2512 SMD