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FDS6982AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A，8.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

FDS6982AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A，8.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SO-8; 包裝：Digi-Reel®

FDS6982AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.3A，8.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6.3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：610pF @ 10V; 功率_最大：900mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

IR1155STRPBF
PMIC - PFC（功率因數(shù)修正） International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC PFC ONE CYCLE CONTROL 8SOIC
H4BBG-10102-B8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 2"
FDS6982AS
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8
ISC1812ET3R3K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 3.3UH 10% 1812
IRFZ48NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
GJM0335C1E5R7WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.7PF 25V NP0 0201
IRFZ48S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
H4BBG-10102-G1-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047G/H9991TR 2"
IR1167ASTRPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SMART SECONDARY DRIVER 8-SOIC
GJM0335C1E5R8BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.8PF 25V NP0 0201
IRFZ48VS
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
IRG4BAC50W-SPBF
IGBT - 單路 International Rectifier Super-220?-3（直引線） IGBT N-CHAN 600V 55A SUPER220
IR11682SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC RECTIFIER DRIVER DUAL 8-SOIC
H4BBG-10102-L8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048L/H9991TR 2"
ISC1812RQ101J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 100UH 5% 1812

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FDS6982AS

ISC1812ET3R3K

IRFZ48NSTRLPBF

GJM0335C1E5R7WB01D

IRFZ48S

H4BBG-10102-G1-ND

IR1167ASTRPBF

GJM0335C1E5R8BB01D

IRFZ48VS

IRG4BAC50W-SPBF

IR11682SPBF

H4BBG-10102-L8-ND

ISC1812RQ101J