FDU6612A詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK
- 系列:PowerTrench®
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.5A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫歐 @ 9.5A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:9.4nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:660pF @ 15V
- 功率_最大:1.3W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
- 晶體 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 1.8432 MHZ 13PF 49UA
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393 MHZ 18PF 49US
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 24.576 MHZ 20PF SMD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.5M OHM 1W 5% 2512 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 25.5K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)寬(長側)2225(5664 公制) CAP CER 0.15UF 100V 10% X7R 2225
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 3.3UF 35V 10% X7R 1206
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 12.000393MHZ 18PF SMD
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 24.576 MHZ 20PF SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 1.58M OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Bourns Inc. 0805(2012 公制) RES 5.11K OHM 1/8W .1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 35V 20% X7R 1206
- 晶體 ECS Inc HC49/U CRYSTAL 18.432 MHZ 18PF 49UA
- 陶瓷 Kemet 2522(6456 公制)寬(長側)2225(5664 公制) CAP CER 1.5UF 50V 10% X7R 2225