FQB22P10TM 全國供應商、價格、PDF資料
FQB22P10TM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D²PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
FQB22P10TM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D²PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
FQB22P10TM詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D²PAK
- 包裝:Digi-Reel®
FQB22P10TM_F085詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:TO-263-2
- 包裝:Digi-Reel®
FQB22P10TM_F085詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:TO-263-2
- 包裝:帶卷 (TR)
FQB22P10TM_F085詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:22A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:125 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:TO-263-2
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 矩形- 接頭,公引腳 Samtec Inc 32-DIP 模塊 CONN HEADER 56POS DUAL .05" T/H
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC MPU SUPERVISOR SOT23-6
- 邏輯 - 柵極和逆變器 ON Semiconductor 14-DIP(0.300",7.62mm) IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14DIP
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control PLUGINSIDE ROTARY SPDT
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
- 配件 Honeywell Sensing and Control LEVER FOR ROTARY SWITCH
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盤,10-MLF? IC REG LDO 3V/3.3V 10-MLF
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC SUPERVISOR MPU SOT23-6
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated SC-70,SOT-323 IC MPU SUPERVISOR SC70-3
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control LEVER FOR ROTARY SWITCH
- 矩形- 接頭,公引腳 Samtec Inc 32-DIP 模塊 CONN HEADER 58POS DUAL .05" T/H
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盤,10-MLF? IC REG LDO 3V/3.3V 10-MLF
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC SUPERVISOR MPU SOT23-6
- PMIC - 監控器 Maxim Integrated SC-70,SOT-323 IC MPU SUPERVISOR SC70-3
- 快動,限位,拉桿 Honeywell Sensing and Control EXPLOSIONPROOF LIMIT SWES LSX