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FQB22P10TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FQB22P10TM詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

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FQB22P10TM_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：Digi-Reel®

FQB22P10TM_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：帶卷 (TR)

FQB22P10TM_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK; 系列：QFET™; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：22A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫歐 @ 11A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1500pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263-2; 包裝：剪切帶 (CT)

FTS-128-01-L-D
矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 32-DIP 模塊 CONN HEADER 56POS DUAL .05" T/H
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PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC MPU SUPERVISOR SOT23-6
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邏輯 - 柵極和逆變器 ON Semiconductor 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14DIP
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快動(dòng)，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control PLUGINSIDE ROTARY SPDT
FQB22P10TM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
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配件 Honeywell Sensing and Control LEVER FOR ROTARY SWITCH
MIC2211-PSYML TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盤，10-MLF? IC REG LDO 3V/3.3V 10-MLF
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PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC SUPERVISOR MPU SOT23-6
MAX6832GXRD2+T
PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated SC-70，SOT-323 IC MPU SUPERVISOR SC70-3
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快動(dòng)，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control LEVER FOR ROTARY SWITCH
FTS-129-03-L-D
矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 32-DIP 模塊 CONN HEADER 58POS DUAL .05" T/H
MIC2211-PSYML TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Micrel Inc 10-VFDFN 裸露焊盤，10-MLF? IC REG LDO 3V/3.3V 10-MLF
MAX6720AUTTZD6+T
PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated SOT-23-6 IC SUPERVISOR MPU SOT23-6
MAX6832HXRD1+T
PMIC - 監(jiān)控器 Maxim Integrated SC-70，SOT-323 IC MPU SUPERVISOR SC70-3
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快動(dòng)，限位，拉桿 Honeywell Sensing and Control EXPLOSIONPROOF LIMIT SWES LSX

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