FQT3P20TF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：670mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 歐姆 @ 335mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223-4
- 包裝：帶卷 (TR)
FQT3P20TF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：670mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 歐姆 @ 335mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223-4
- 包裝：Digi-Reel®
FQT3P20TF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：670mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 歐姆 @ 335mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223-4
- 包裝：剪切帶 (CT)
FQT3P20TF_SB82100詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：670mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 歐姆 @ 335mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223-4
- 包裝：剪切帶 (CT)
FQT3P20TF_SB82100詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：670mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 歐姆 @ 335mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223-4
- 包裝：Digi-Reel®
FQT3P20TF_SB82100詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 200V 670MA SOT-223-4
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：670mA
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.7 歐姆 @ 335mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
- 供應商設備封裝：SOT-223-4
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 600V 200MA SOT-223-4
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047N/H9991TR 4"
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048Y/H9991TR 4"
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 5"
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048B/H9991TR 6"
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3048G/H9991TR 6"
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS DIP .100 SLD
- 跳線，預壓接線 Hirose Electric Co Ltd 9-DIP 模塊，1/2 磚 JUMPER-H9991TR/A3047L/H9991TR 6"
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