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HAT2160H 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

HAT2160H詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 30A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-
閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：7750pF @ 10V
功率_最大：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK
包裝：帶卷 (TR)

HAT2160H-EL-E詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
系列：-
制造商：Renesas Electronics America
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：20V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 30A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：7750pF @ 10V
功率_最大：30W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SC-100，SOT-669
供應(yīng)商設(shè)備封裝：LFPAK
包裝：帶卷 (TR)

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