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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IPD50R950CE 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IPD50R950CE詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
系列：*
制造商：Infineon Technologies
FET型：
FET特點：
漏極至源極電壓333Vdss444：
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id時的Vgs333th444（最大）：
閘電荷333Qg4440a0Vgs：
輸入電容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安裝類型：
封裝/外殼：
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
包裝：

IPD50R950CE詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
系列：CoolMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：500V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：950 毫歐 @ 1.2A，13V
Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.5nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：231pF @ 100V
功率_最大：34W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO252-3
包裝：帶卷 (TR)

IPD50R950CE詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 500V04.3A PG-TO252
系列：*
制造商：Infineon Technologies
FET型：
FET特點：
漏極至源極電壓333Vdss444：
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：
Id時的Vgs333th444（最大）：
閘電荷333Qg4440a0Vgs：
輸入電容333Ciss4440a0Vds：
功率_最大：
安裝類型：
封裝/外殼：
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
包裝：

IPD50R950CE供應(yīng)商

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