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IRF1010Z詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1010ZL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1010ZLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF1010ZPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF1010ZS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1010ZSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2840pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

K561K15X7RK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 200V X7R RADIAL
ECW-H12913JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.091UF 1.25KVDC RADIAL
LCBG-1.5T-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD TAB LOCK 2.800"L
IRF1010Z
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
LD02YA101KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 100PF 16V 10% NP0 0402
ECW-U2182JC9
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 1800PF 250VDC 1913
JQ1-6V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模塊，1/2 磚 RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 6V
LP3981ILD-3.0/NOPB
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3V .3A 6LLP
K561K15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 200V X7R RADIAL
ECW-H16102JV
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1000PF 1.6KVDC RADIAL
LD02YA220KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP CER 22PF 16V 10% NP0 0402
JQ1AP-12V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 9-DIP 模塊，1/2 磚 RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 12V
ECW-U2182KC9
薄膜 Panasonic Electronic Components 1913（4833 公制） CAP FILM 1800PF 250VDC 1913
K561K15X7RK5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 560PF 200V X7R RADIAL
LCBG-1-01
配件 Richco Plastic Co 6-SMD（0.300"，7.62mm） CIRCUIT BRD GUIDE LOCK .825"L