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IRF640N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF640NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF640NLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRF640NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF640NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF640NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：150 毫歐 @ 11A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：67nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1160pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

H2MXS-3018M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30M/X
GP12MSCKE
按鈕 C&K Components 模塊 SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 20V
IRF640N
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
H2BBT-10108-S6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3049S/H1500TR 8"
IRF7707GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
H2MXS-3036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM30S/AE30G/X
FGC.0B.305.CLAD52Z
連接器，互連器件 LEMO TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB PLUG CDC 5CTS C-COL
IPI70N04S4-06
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1
H2MXS-5036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM50S/AE50M/X
H2BBT-10108-S8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1500TR/A3048S/H1500TR 8"
H2MXS-6036G
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60S/AE60G/X
FGC.0B.305.CYCD25Z
連接器，互連器件 LEMO TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB PLUG CDC 5CTS C-COL
IRF7726TR
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
IPI70N10S3L-12
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
H2MXS-6036M
矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60S/AE60M/X