欧美乱码中文字幕在线,欧美牲交a欧美牲交aⅴ久久,狠狠色综合7777久夜色撩人ⅰ

^{<sub id="1kakq"><rt id="1kakq"></rt></sub>}

IRF644S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF644SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF644STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF644STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF644STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF644STRRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 14.0A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IPW60R099C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
FCT162543CTPACTG4
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC 16BIT REG TXRX 3-ST 56-TSSOP
IRF644S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
IPW60R099CP
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
EXB-38V102JV
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 1206
IHLP6767GZER1R0M11
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 1.0UH 55.5A SMD
FCT162646ATPACTG4
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 寬） IC 16BIT BUS TXRX 3-ST 56-TSSOP
INA145UA
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DIFF 500KHZ SGL 8SOIC
IPW65R041CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
IPW65R190CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
EXB-38V105JV
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 1M OHM 4 RES 1206
IHLP6767GZER1R0M51
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 1.0UH 53A SMD
INA148QDRQ1
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC DIFF AMP 200V 8-SOIC
FCT162652CTPVCTG4
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Texas Instruments 56-BSSOP（0.295"，7.50mm 寬） IC 16BIT BUS TXRX 3-ST 56-SSOP
IPW90R340C3
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 900V 15A TO-247

欧美成人一区二免费视频-欧美久久中文字幕-欧美日韩国产免费一区二区三区-欧美性群另类交

IRF644S 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRF644S詳細(xì)規(guī)格

IRF644SPBF詳細(xì)規(guī)格

IRF644STRL詳細(xì)規(guī)格

IRF644STRLPBF詳細(xì)規(guī)格

IRF644STRR詳細(xì)規(guī)格

IRF644STRRPBF詳細(xì)規(guī)格

IRF644S供應(yīng)商

IPW60R099C6

FCT162543CTPACTG4

IRF644S

IPW60R099CP

EXB-38V102JV

IHLP6767GZER1R0M11

FCT162646ATPACTG4

INA145UA

IPW65R041CFD

IPW65R190CFD

EXB-38V105JV

IHLP6767GZER1R0M51

INA148QDRQ1

FCT162652CTPVCTG4

IPW90R340C3