IRL3302詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：39A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V
- Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL3302L詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：39A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V
- Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262-3
- 包裝：管件
IRL3302PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：39A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V
- Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRL3302S詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：39A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V
- Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL3302SPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：39A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V
- Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRL3302STRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：39A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V
- Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V
- 功率_最大：57W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
- 適配器 Freescale Semiconductor 28.98mm 外徑 x 19.05mm 內徑 x 15.21mm L DEVELOPMENT 1.27MM 208-PIN
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG LDO 3.3V .3A 8-MSOP
- 數據采集 - 數字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 100K 10UTQFN
- PMIC - 穩壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD IC REG LDO 2.5/3.3V .5A/1A P-PAK
- 配件 Carling Technologies 1812（4532 公制） MOUNTING PANEL MIDDLE ROCKER
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS DIP .100 SLD
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 4300PF 1.6KVDC RADIAL
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 5-WFBGA IC REG LDO 1.6V 5MA 5-MICROSMD
- 固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR SHIELDED 100.0UH SMD
- 數據采集 - 數字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 50K 10UTQFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS DIP .100 SLD
- 配件 Carling Technologies 1812（4532 公制） MOUNTING PANEL MIDDLE ROCKER
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 5-WFBGA IC REG LDO 1.6V 5MA 5-USMD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
0755-88291559 
0755-23919407 
