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ISL6612CB詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān); 描述：IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Intersil; 類型：; 配置：高端和低端，同步; 輸入類型：PWM; 延遲時(shí)間：10ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：1.25A; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：36V; 電壓_電源：10.8 V ~ 13.2 V; 工作溫度：0°C ~ 85°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC; 包裝：管件

ISL6612CB-T詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān); 描述：IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Intersil; 類型：; 配置：高端和低端，同步; 輸入類型：PWM; 延遲時(shí)間：10ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：1.25A; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：36V; 電壓_電源：10.8 V ~ 13.2 V; 工作溫度：0°C ~ 85°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC; 包裝：帶卷 (TR)

ISL6612CBZ詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān); 描述：IC DRVR MOSF SYNC BUCK OTP 8SOIC; 系列：-; 制造商：Intersil; 類型：; 配置：高端和低端，同步; 輸入類型：PWM; 延遲時(shí)間：10ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：1.25A; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：36V; 電壓_電源：10.8 V ~ 13.2 V; 工作溫度：0°C ~ 85°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC; 包裝：管件

ISL6612CBZA詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān); 描述：IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Intersil; 類型：; 配置：高端和低端，同步; 輸入類型：PWM; 延遲時(shí)間：10ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：1.25A; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：36V; 電壓_電源：10.8 V ~ 13.2 V; 工作溫度：0°C ~ 85°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC; 包裝：管件

ISL6612CBZAR5214詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān); 描述：IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Intersil; 類型：; 配置：高端和低端，同步; 輸入類型：PWM; 延遲時(shí)間：10ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：1.25A; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：36V; 電壓_電源：10.8 V ~ 13.2 V; 工作溫度：0°C ~ 85°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC; 包裝：管件

ISL6612CBZA-T詳細(xì)規(guī)格: 類別：PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān); 描述：IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Intersil; 類型：; 配置：高端和低端，同步; 輸入類型：PWM; 延遲時(shí)間：10ns; 導(dǎo)通電阻：; 電流_峰值：1.25A; 電流_輸出/通道：; 配置數(shù)：1; 電流_峰值輸出：; 輸出數(shù)：2; 高壓側(cè)電壓_最大值（自舉）：36V; 電壓_電源：10.8 V ~ 13.2 V; 工作溫度：0°C ~ 85°C; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC; 包裝：帶卷 (TR)

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薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
IRF5851TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬） MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
KTR10EZPJ106
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10M OHM 1/8W 5% 0805 SMD
LM5642XMTX/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Texas Instruments * IC REG CTRLR BUCK PWM CM 28TSSOP
ISL6612CB
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
K183M10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
IXFT66N20Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 200V 66A TO-268(D3)
ECQ-E6473RKF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
IRF614SPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 20% RADIAL
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FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
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溫度 Texas Instruments IC THERMOSTAT DUAL LO PWR 8-MSOP
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薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.47UF 630VDC RADIAL
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FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
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PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

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