MMUN2212LT1 全國供應商、價格、PDF資料
MMUN2212LT1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):22k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:246mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMUN2212LT1詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):22k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:246mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
MMUN2212LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):22k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:246mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:帶卷 (TR)
MMUN2212LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):22k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:246mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMUN2212LT1G詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
- 描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶體管類型:NPN - 預偏壓
- 電流_集電極333Ic444(最大):100mA
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
- 電阻器_基極333R1444(歐):22k
- 電阻器_發射極333R2444(歐):22k
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:60 @ 5mA,10V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
- 電流_集電極截止(最大):500nA
- 頻率_轉換:-
- 功率_最大:246mW
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:Digi-Reel®
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 1.5PF 100V R2H 0805
- 晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
- 連接器,互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 7POS FLANGE W/SKT
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 70POS DL HORZ SMD
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 8.2PF 100V U2J 0603
- 單二極管/整流器 Micro Commercial Co SC-76,SOD-323 DIODE SW 200MA 100V SOD-323
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 1.7PF 100V R2H 0805
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 矩形- 接頭,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT 2MM 35POS SGL HORZ SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 8.3PF 100V U2J 0603
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0805(2012 公制) CAP CER 1.9PF 100V R2H 0805
- 晶體管(BJT) - 陣列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR DUAL NPN 40V SOT-363