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NTMFS4841NHT1G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 11.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2113pF @ 12V; 功率_最大：870mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）; 供應商設備封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）; 包裝：剪切帶 (CT)

NTMFS4841NHT1G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 11.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2113pF @ 12V; 功率_最大：870mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）; 供應商設備封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）; 包裝：Digi-Reel®

NTMFS4841NHT1G詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：33nC @ 11.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2113pF @ 12V; 功率_最大：870mW; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤（5 引線）; 供應商設備封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盤（5 引線） MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL
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單二極管/齊納 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products SC-90，SOD-323F DIODE ZENER 5.6V 150MW S-MINI 2P
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EMI/RFI（LC、RC 網(wǎng)絡） ON Semiconductor 25-UFBGA，F(xiàn)CBGA IC FILTER EMI 10LINE FLIPCHIP
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 32POS BOX MNT W/PINS
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FET - 單 ON Semiconductor 8-TDFN 裸露焊盤（5 引線） MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL

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