SI4435DY詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1604pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：剪切帶 (CT)
SI4435DY詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1604pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：帶卷 (TR)
SI4435DY詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2320pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
SI4435DY詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- 系列：PowerTrench®
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8.8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1604pF @ 15V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOIC N
- 包裝：Digi-Reel®
SI4435DYPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2320pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
SI4435DYTR詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 8A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2320pF @ 15V
- 功率_最大：2.5W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC RX AMFM RADIO RDS 24SSOP
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 33V UNIDIR SMB
- PTC 可復位保險絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH PTC 6A KINKED AMMO
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
- LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc 40-DIP（0.600"，15.24mm） BIG CHIP LED HB MODULE GREEN
- 熱縮管 TE Connectivity 2010（5025 公制） HEAT SHRINK TUBING
- RF 接收器 Silicon Laboratories Inc 20-UFQFN 裸露焊盤 IC RAD RX AM/FM/SW/LW/AUX 20QFN
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 0.022UF 50V 5% RADIAL
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 620 OHM 4 RES 1206
- PTC 可復位保險絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH PTC RESET 7A HOLD
- LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc 40-DIP（0.600"，15.24mm） BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- RF 評估和開發套件，板 Silicon Laboratories Inc 24-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） BOARD EVAL SI4735 VERSION C
- 網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 6.2K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 33V BIDIRECT SMB
- LED- 高亮度電源模塊 Luminus Devices Inc 40-DIP（0.600"，15.24mm） BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
0755-82575207 
0755-83222787 
