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SI7489DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7489DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7489DP-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7489DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7489DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7489DP-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：28A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：41 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 50V; 功率_最大：83W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

RYM18DTKS
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 36POS DIP .156 SLD
RT1206DRE0766K5L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 66.5K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI3216M-FT
接口 - 電信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
SI7489DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 100V 28A PPAK 8SOIC
SMAJ14A-13-F
TVS - 二極管 Diodes Inc DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 14V 400W SMA
SST 1.5
保險絲 Bel Fuse Inc 2-SMD，方形端塊 FUSE 1.5A 125V 6125 SLOW SST
SI4511DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC
RYM22DRMD-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 SQ WW
RT1206DRE07680KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 680K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI3216MPPT1-EVB
過時/停產零件編號 Silicon Laboratories Inc BOARD EVAL W/SI3201 INTERFACE
SST 3
保險絲 Bel Fuse Inc 2-SMD，方形端塊 FUSE 3A 125V 6125 SLOW SST
SMAJ14A-E3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIRECT 400W 14V 5% SMA
RT1206DRE0768K1L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 68.1K OHM 1/4W .5% SMD 1206
SI4539ADY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
RYM22DRMN-S273
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS .156 SQ WW

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